Micro-LED自發光顯示是實現全彩LED超清顯示的核心技術路線之一，具有低能耗、壽命長、色彩飽和度高等優點。目前，各國均大力攻關RGB全彩Micro-LED在芯片制作、規模化轉移等領域的技術瓶頸，以滿足先進顯示產業的迫切需求。

本項目立足于半導體照明顯示產業需求，瞄準Micro-LED新型顯示技術，致力于解決氮化物Micro-LED顯示技術在材料質量、器件工藝等方面存在的關鍵科學技術問題。提出InGaN紅光材料的新型MOCVD技術，開展InGaN藍光LED結合紅光量子點色轉換技術的研究，兩條技術路線并重共同促進氮化物全彩顯示技術的突破與發展，解決氮化物紅光LED制備難題，優化Micro-LED元器件制備工藝，研發出低功耗、高性能的氮化物紅光Micro-LED元器件，并培養一支具備“設備-材料-元器件”全鏈條研究能力的人才團隊。

隨著國內外集成電路的制程變化，石英及硅部件逐漸無法滿足需求，碳化硅部件作為新一代半導體材料閃亮登場，在高制程蝕刻、RTP及CVD工藝領域有著非常廣闊的應用前景，有望成為前沿下一代集成電路芯片成功量產和良率保證的重要利器之一。

本項目旨在突破300mm集成電路前沿下一代超大尺寸碳化硅核心部件材料國產化“卡脖子”問題，目標是完成先進的超大尺寸碳化硅部件材料的全套技術研發工作和用于碳化硅部件生長的核心裝備研制，實現蘇州、江蘇乃至全國零的突破。碳化硅部件質量達到國際先進水平，實現進口替代，加速我國半導體產業崛起進程。